我半導體抗光腐蝕研究取得新進展

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，gaixiaowangleiyanjiuyuandailingdekeyantuanduizaibandaotikangguangfushiyanjiufangmianqudexinjinzhan
，dedaoguojiazirankexuejijindengduogexiangmuderenkezhichi。“鈍化層助力BiVO4抗光腐蝕研究”的相關成果已於近日在國際化學期刊《德國應用化學》發表，將有助於提高太陽能製氫的光電轉換效率。

　　王蕾研究員介紹
，新型潔淨能源氫能sulaishixinnengyuandeyanjiuredian
，guangjieshuizhiqingshihuodeqingnengdezhuyaojishuzhiyi，ertaiyangnengzhiqingzhuanhuanxiaolvshiguangjieshuizhuyaoxingnengzhibiao。bandaotijiaodideguangxishoulvhejiaogaodezailiuzifuhelvshiyingxiangzhuanhuanxiaolvdeshouyaoyinsu
，yinci，ruhetigaoguangdianzhuanhuanxiaolvshidangqianguangdiancuihuayanjiulingyudezhongzhongzhizhong。

　　BiVO4半導體因具有2.4電子伏特的合適帶隙寬度、良好的光吸收性能以及適合的低電位下進行水氧化的導帶位置，成為太陽能光電催化製氫領域的重要材料之一。然而，BiVO4材料的電子與空穴相複合，嚴重影響了光生電荷傳輸
，使其太陽能光電催化性能低於理論值;同tong時shi
，也ye由you於yu光guang腐fu蝕shi，使shi其qi無wu法fa適shi用yong長chang期qi光guang解jie水shui反fan應ying。通tong常chang的de解jie決jue辦ban法fa是shi采cai用yong表biao麵mian助zhu催cui化hua劑ji修xiu飾shi，提ti高gao半ban導dao體ti電dian荷he分fen離li效xiao率lv，抑yi製zhi電dian荷he二er次ci複fu合he，加jia速su表biao麵mian反fan應ying動dong力li學xue。

　　科研團隊通過改善材料製備工藝以及恒電位光極化測試方法，有效提高了BiVO4活性及穩定性。研究表明
，無表麵助催化劑修飾下的BiVO4在間歇性測試下
，可以達到100小時的穩定性
，表現出超強的“自愈”特te性xing。電dian化hua學xue測ce試shi顯xian示shi，半ban導dao體ti表biao界jie麵mian產chan生sheng的de鈍dun化hua層ceng和he氧yang空kong位wei協xie助zhu作zuo用yong，有you效xiao減jian小xiao了le半ban導dao體ti電dian子zi與yu空kong穴xue複fu合he，提ti高gao了le表biao麵mian水shui氧yang化hua動dong力li學xue
，從cong而er抑yi製zhi了le光guang腐fu蝕shi。( 來源： 科技日報記者張景陽 通訊員胡紅波)